四探針測(cè)試儀(便攜式)/四探針電阻率測(cè)試儀/四探針測(cè)定儀 型號(hào):GSZ-RTS-2/GSZ-RTS-2A GSZ-RTS-2/GSZ-RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。 儀器采用了電子進(jìn)行、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。 本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶(多晶)為硅材料的分選測(cè)試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。 | | |
| | 帶把手四探針探頭 |
| 技 術(shù) 指 標(biāo) : | 便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型,區(qū)別:測(cè)量范圍不一樣。 | | GSZ-RTS-2測(cè)量范圍 | 電阻率:0.01~1999.9Ω.cm; 方塊電阻:0.1~19999Ω/□; | GSZ-RTS-2A測(cè)量范圍 | 電阻率:0.001~199.99Ω.cm; 方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□; | GSZ-RTS-2恒流源 | 電流量程分為100μA、1mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào) | GSZ-RTS-2A恒流源 | 電流量程分為1mA、10mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào) | 數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式:000.00~199.99mV; 分辨力:10μV; 輸入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1% ; 顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示; | 四探針探頭基本指標(biāo) | 間距:1±0.01mm; 針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 機(jī)械游移率:≤0.3%; 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm; 探針壓力:5~16 牛頓(總力); | 四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | (見探頭附帶的合格證) | 模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差 ( 按JJG508-87進(jìn)行) | 1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 | 整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差 | (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5% | 整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤5% | 外型尺寸 | 125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深) | 標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度:23±2℃; 相對(duì)濕度:≤65%; 無高頻干擾; 無強(qiáng)光直射; |
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